G110N06K دیتاشیت

G110N06K

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت G110N06K
حجم فایل 76.117 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت G110N06K

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: GOFORD G110N06K
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 160W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 113nC@10V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 5538pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 110A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5.5mΩ
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: GOFORD

محصولات مشابه